2024年全球高帶寬存儲器行業(yè)發(fā)展歷程分析 行業(yè)已經(jīng)入快速迭代階段【組圖】

行業(yè)主要上市公司：紫光國微(002049)、太極實業(yè)(600667)、通富微電(002156)、國芯科技(688262)、長電科技(600584)、華天科技(002185)、晶方科技(603005)、江波龍(301308)等

本文核心數(shù)據(jù)：行業(yè)發(fā)展歷程;產(chǎn)品發(fā)展歷程;企業(yè)發(fā)展歷程

1、定義

高帶寬存儲器(High Bandwidth Memory，HBM)是易失性存儲器的一種。作為全新一代的CPU/GPU內(nèi)存芯片，HBM本質(zhì)上是指基于2.5/3D先進封裝技術(shù)，把多塊DRAM堆疊起來后與GPU芯片封裝在一起，實現(xiàn)大容量，高位寬的DDR組合陣列。

2、行業(yè)發(fā)展歷程：已進入快速迭代階段

全球HBM行業(yè)發(fā)展主要分三個階段：初始階段(2013-2014年)，HBM全球首款產(chǎn)品出現(xiàn)，標志著HBM技術(shù)的商業(yè)化起步;發(fā)展階段(2015-2018年)，企業(yè)加速布局HBM產(chǎn)品，相關(guān)標準發(fā)布;快速迭代階段(2019年至今)，HBM產(chǎn)品已發(fā)展至第五代，芯片容量和帶寬快速提升。

3、產(chǎn)品發(fā)展歷程：當前HBM產(chǎn)品已經(jīng)發(fā)展至第五代

第一代HBM產(chǎn)品由SK海力士于2014年發(fā)布，此后每一代HBM的升級更迭，在內(nèi)存帶寬、I/O速率等方面都迎來明顯提升，當前HBM已發(fā)展至第五代(HBM3e)，容量最高可達36GB，內(nèi)存帶寬已提升至1.2TB/s，I/O速率最高可達9.2Gbps。

3、企業(yè)布局歷程：海力士最早布局HBM行業(yè)

第一代HBM產(chǎn)品由SK海力士于2014年發(fā)布，2019年海力士成功量產(chǎn)HBM2E，隨后三星和美光科技相機宣布量產(chǎn)HBM2E，2024年，海力士與臺積電聯(lián)合開發(fā)HBM4，并計劃2025年完成開發(fā)。

——發(fā)展歷程總結(jié)

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