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【行業(yè)深度】洞察2024:中國(guó)MOSFET行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局及市場(chǎng)份額(附市場(chǎng)集中度、企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力評(píng)價(jià)等)

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20 李宛卿 ? 2024-02-11 11:00:44  來源:前瞻產(chǎn)業(yè)研究院 E7385G0

行業(yè)主要上市公司:華潤(rùn)微(688396.SH);士蘭微(600460.SH);新潔能(605111.SH);揚(yáng)杰科技(300373.SZ)等

本文核心數(shù)據(jù):MOSFET行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)派系;MOSFET行業(yè)市場(chǎng)份額;MOSFET行業(yè)市場(chǎng)集中度

1、中國(guó)MOSFET行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)派系

MOSFET行業(yè)是技術(shù)壁壘較高的行業(yè),在高壓MOSFET依舊有部分尖端產(chǎn)品未實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代的背景下,中國(guó)MOSFET行業(yè)可以劃分為國(guó)內(nèi)廠商和海外廠商兩大派系,其中國(guó)內(nèi)廠商數(shù)量較多,代表性的包括華潤(rùn)微電子、士蘭微、韋爾半導(dǎo)體等,海外則包括英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體等廠商。隨著國(guó)內(nèi)廠商的技術(shù)水平持續(xù)上升,國(guó)內(nèi)廠商在MOSFET市場(chǎng)中的市占率將呈現(xiàn)出增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。

圖表1:中國(guó)MOSFET行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)派系概覽

2、中國(guó)MOSFET行業(yè)市場(chǎng)排名

MOSFET作為半導(dǎo)體功率器件中占比最大的細(xì)分種類,各功率器件領(lǐng)先廠商均涉及MOSFET產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn),在MOSFET產(chǎn)品過于細(xì)分、尚未有權(quán)威榜單公布,因此前瞻選擇通過功率器件廠商排名反映企業(yè)在MOSFET領(lǐng)域的企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)情況。2023年7月20日-21日,第十七屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)暨2023年中國(guó)半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇于杭州蕭山舉行。會(huì)上,中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)公布了2022年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)名單,其中,士蘭微、揚(yáng)杰科技、華潤(rùn)微等知名上市廠商位列其中。

圖表2:2022年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)

3、中國(guó)MOSFET行業(yè)市場(chǎng)集中度

結(jié)合ICWISE對(duì)各大廠商在中國(guó)市場(chǎng)的占有率情況進(jìn)行市場(chǎng)集中度的計(jì)算,目前國(guó)內(nèi)MOSFET市場(chǎng)中,依舊有較大的市場(chǎng)份額掌握在海外廠商的手中:其中英飛凌依靠全面的產(chǎn)品布局占據(jù)著20%以上的市場(chǎng),安森美亦占據(jù)了10%以上的市場(chǎng)份額。綜合來看,中國(guó)MOSFET行業(yè)CR4接近50%,CR8超過60%,市場(chǎng)集中度較高。

圖表3:2022年中國(guó)MOSFET行業(yè)集中度分析(單位:%)

4、中國(guó)MOSFET行業(yè)企業(yè)布局

從中國(guó)MOSFET行業(yè)廠商的業(yè)務(wù)布局情況來看,多數(shù)廠商均在其總部所在區(qū)域進(jìn)行布局的基礎(chǔ)上,在國(guó)內(nèi)多個(gè)地區(qū)設(shè)立生產(chǎn)基地以及技術(shù)支持中心,除此之外,包括揚(yáng)杰科技、燕東微等領(lǐng)先廠商則逐步實(shí)現(xiàn)了海外布局。

圖表4:2023年中國(guó)MOSFET企業(yè)業(yè)務(wù)布局(單位:%)(一)

圖表5:2023年中國(guó)MOSFET企業(yè)業(yè)務(wù)布局(單位:%)(二)

圖表6:2023年中國(guó)MOSFET企業(yè)業(yè)務(wù)布局(單位:%)(三)

5、中國(guó)MOSFET行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)狀態(tài)總結(jié)

從MOSFET行業(yè)現(xiàn)有競(jìng)爭(zhēng)者情況來看,當(dāng)前行業(yè)廠商數(shù)量規(guī)模一般,且市場(chǎng)集中度較高,因此現(xiàn)有競(jìng)爭(zhēng)者的競(jìng)爭(zhēng)程度一般,但行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)程度有進(jìn)一步加劇的趨勢(shì)。

上游廠商的議價(jià)能力方面,由于上游廠商供應(yīng)的產(chǎn)品的技術(shù)具有較高的技術(shù)壁壘,在高制程、高精度的產(chǎn)品生產(chǎn)上,上游廠商的議價(jià)能力之強(qiáng)則更加凸顯。而對(duì)于下游廠商的議價(jià)能力上,MOSFET行業(yè)的格局則呈現(xiàn)出分化的情況,在中低壓MOSFET領(lǐng)域,由于廠商技術(shù)實(shí)力較為接近,因此容易出現(xiàn)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)的情況,消費(fèi)者的議價(jià)能力較強(qiáng);而在高壓MOSFET領(lǐng)域,由于下游需求較大,而具有相關(guān)技術(shù)的廠商較小,因此導(dǎo)致消費(fèi)者議價(jià)能力相對(duì)較弱。綜合來看,下游廠商的議價(jià)能力一般。

潛在進(jìn)入者威脅方面,由于MOSFET行業(yè)是技術(shù)性較強(qiáng)的行業(yè),具有較高的技術(shù)壁壘,且需要長(zhǎng)期的研發(fā)投入,因此,潛在進(jìn)入者的威脅較小。

替代品方面,MOSFET在小部分領(lǐng)域和IGBT等其他類型的功率半導(dǎo)體呈現(xiàn)互相替代的趨勢(shì),但由于MOSFET產(chǎn)品適用于更高頻的工作環(huán)境,因此其他功率半導(dǎo)體元器件對(duì)MOSFET產(chǎn)品的替代能力有限。

圖表7:中國(guó)MOSFET行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)狀態(tài)總結(jié)

更多本行業(yè)研究分析詳見前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《全球及中國(guó)MOSFET(功率器件)行業(yè)發(fā)展前景與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告》。

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作者 李宛卿
產(chǎn)業(yè)研究員、分析師
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