2024年中國MOSFET行業(yè)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀分析 寬禁帶材料為核心發(fā)展方向【組圖】

行業(yè)主要上市公司：華潤微(688396.SH);士蘭微(600460.SH);新潔能(605111.SH);揚(yáng)杰科技(300373.SZ)等

本文核心數(shù)據(jù)：MOSFET行業(yè)研發(fā)投入情況

——MOSFET技術(shù)發(fā)展歷程

MOSFET的技術(shù)迭代歷程總體可以總結(jié)為技術(shù)革新、工藝進(jìn)步、材料升級三大部分，MOSFET在設(shè)計上經(jīng)歷了平面型、溝槽型、超級結(jié)等多個技術(shù)革新階段，每一次技術(shù)上的迭代伴隨著MOSFET生產(chǎn)工藝的革新以及元器件結(jié)構(gòu)的變化，近年來SiC、GaN等材料的應(yīng)用，使得寬禁帶材料成為了MOSFET發(fā)展的核心方向。

——不同類別各有優(yōu)勢

MOSFET是一種全控制型半導(dǎo)體功率分立器件，通過柵極電壓的變化來控制輸出電流的大小，并實現(xiàn)開通和關(guān)斷。常用產(chǎn)品種類較多，按載流子類型可分為N型和P型MOSFET兩大類。按溝道形成方式可分為增強(qiáng)型和耗盡型MOSFET兩種，增強(qiáng)型MOSFET是主要產(chǎn)品類型。具有輸入阻抗大、導(dǎo)通電阻小、功耗低、漏電小、工作頻率高，工藝基本成熟，成本低的特點。MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域非常廣，主要使用在電源和驅(qū)動控制兩類電子產(chǎn)品中。

當(dāng)前，按照溝道結(jié)構(gòu)劃分，可以將目前的MOSFET功率器件分為平面型、溝槽型和超結(jié)型三類，其相關(guān)特征具體如下：

——行業(yè)整體研發(fā)投入規(guī)模及力度較大

從行業(yè)整體的研發(fā)投入情況來看，2018-2022年期間，中國MOSFET行業(yè)整體研發(fā)投入規(guī)模呈逐年上升的趨勢，研發(fā)投入強(qiáng)度呈現(xiàn)先有所下滑后企穩(wěn)的趨勢。2022年，中國MOSFET行業(yè)整體研發(fā)投入為260.77億元，研發(fā)投入強(qiáng)度為9.9%?？傮w來看，我國MOSFET行業(yè)研發(fā)投入力度較大。

注：1)研發(fā)投入規(guī)模為MOSFET行業(yè)中企業(yè)研發(fā)投入的總和;2)研發(fā)投入強(qiáng)度為研發(fā)投入規(guī)模占營業(yè)收入的比值;3)MOSFET行業(yè)為前瞻針對企業(yè)主營業(yè)務(wù)篩選出的上市企業(yè)樣本，樣本中共包括37個上市企業(yè)，特此說明。

——行業(yè)代表性廠商技術(shù)進(jìn)展

從我國MOSFET行業(yè)代表性廠商的技術(shù)進(jìn)展情況來看，廠商多聚焦于第三代半導(dǎo)體的研發(fā)，采用SiC、GaN等材料進(jìn)行新系列的產(chǎn)品研發(fā)，除此之外，以斯達(dá)半導(dǎo)為代表的廠商亦聚焦于車用MOSFET領(lǐng)域進(jìn)行研發(fā)與生產(chǎn)。

——MOSFET行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢

結(jié)合當(dāng)前MOSFET行業(yè)的技術(shù)進(jìn)展以及產(chǎn)品發(fā)展路線，可以得知以SiC MOSFET為代表的寬禁帶半導(dǎo)體將成為行業(yè)的核心發(fā)展方向，對MOSFET行業(yè)的技術(shù)發(fā)展趨勢總結(jié)如下：

更多本行業(yè)研究分析詳見前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《全球及中國MOSFET（功率器件）行業(yè)發(fā)展前景與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報告》。

同時前瞻產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)研究報告、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、園區(qū)規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)招商、產(chǎn)業(yè)圖譜、智慧招商系統(tǒng)、行業(yè)地位證明、IPO咨詢/募投可研、專精特新小巨人申報、十五五規(guī)劃等解決方案。如需轉(zhuǎn)載引用本篇文章內(nèi)容，請注明資料來源（前瞻產(chǎn)業(yè)研究院）。

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