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2024年中國MOSFET行業(yè)技術發(fā)展現(xiàn)狀分析 寬禁帶材料為核心發(fā)展方向【組圖】

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20 蔣金成 ? 2024-03-05 14:13:22  來源:前瞻產(chǎn)業(yè)研究院 E3136G0

行業(yè)主要上市公司:華潤微(688396.SH);士蘭微(600460.SH);新潔能(605111.SH);揚杰科技(300373.SZ)等

本文核心數(shù)據(jù):MOSFET行業(yè)研發(fā)投入情況

——MOSFET技術發(fā)展歷程

MOSFET的技術迭代歷程總體可以總結為技術革新、工藝進步、材料升級三大部分,MOSFET在設計上經(jīng)歷了平面型、溝槽型、超級結等多個技術革新階段,每一次技術上的迭代伴隨著MOSFET生產(chǎn)工藝的革新以及元器件結構的變化,近年來SiC、GaN等材料的應用,使得寬禁帶材料成為了MOSFET發(fā)展的核心方向。

圖表1:MOSFET技術發(fā)展歷程

——不同類別各有優(yōu)勢

MOSFET是一種全控制型半導體功率分立器件,通過柵極電壓的變化來控制輸出電流的大小,并實現(xiàn)開通和關斷。常用產(chǎn)品種類較多,按載流子類型可分為N型和P型MOSFET兩大類。按溝道形成方式可分為增強型和耗盡型MOSFET兩種,增強型MOSFET是主要產(chǎn)品類型。具有輸入阻抗大、導通電阻小、功耗低、漏電小、工作頻率高,工藝基本成熟,成本低的特點。MOSFET應用領域非常廣,主要使用在電源和驅(qū)動控制兩類電子產(chǎn)品中。

當前,按照溝道結構劃分,可以將目前的MOSFET功率器件分為平面型、溝槽型和超結型三類,其相關特征具體如下:

圖表2:MOSFET按照溝道結構的分類

——行業(yè)整體研發(fā)投入規(guī)模及力度較大

從行業(yè)整體的研發(fā)投入情況來看,2018-2022年期間,中國MOSFET行業(yè)整體研發(fā)投入規(guī)模呈逐年上升的趨勢,研發(fā)投入強度呈現(xiàn)先有所下滑后企穩(wěn)的趨勢。2022年,中國MOSFET行業(yè)整體研發(fā)投入為260.77億元,研發(fā)投入強度為9.9%??傮w來看,我國MOSFET行業(yè)研發(fā)投入力度較大。

圖表3:2018-2023年中國MOSFET行業(yè)整體研發(fā)投入規(guī)模及力度(單位:億元,%)

注:1)研發(fā)投入規(guī)模為MOSFET行業(yè)中企業(yè)研發(fā)投入的總和;2)研發(fā)投入強度為研發(fā)投入規(guī)模占營業(yè)收入的比值;3)MOSFET行業(yè)為前瞻針對企業(yè)主營業(yè)務篩選出的上市企業(yè)樣本,樣本中共包括37個上市企業(yè),特此說明。

——行業(yè)代表性廠商技術進展

從我國MOSFET行業(yè)代表性廠商的技術進展情況來看,廠商多聚焦于第三代半導體的研發(fā),采用SiC、GaN等材料進行新系列的產(chǎn)品研發(fā),除此之外,以斯達半導為代表的廠商亦聚焦于車用MOSFET領域進行研發(fā)與生產(chǎn)。

圖表4:2022-2023年中國MOSFET行業(yè)代表性廠商技術進展(一)

圖表5:2022-2023年中國MOSFET行業(yè)代表性廠商技術進展(二)

——MOSFET行業(yè)技術發(fā)展趨勢

結合當前MOSFET行業(yè)的技術進展以及產(chǎn)品發(fā)展路線,可以得知以SiC MOSFET為代表的寬禁帶半導體將成為行業(yè)的核心發(fā)展方向,對MOSFET行業(yè)的技術發(fā)展趨勢總結如下:

圖表6:MOSFET行業(yè)技術發(fā)展趨勢

更多本行業(yè)研究分析詳見前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《全球及中國MOSFET(功率器件)行業(yè)發(fā)展前景與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報告》。

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2025-2030年全球及中國MOSFET(功率器件)行業(yè)發(fā)展前景與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報告
2025-2030年全球及中國MOSFET(功率器件)行業(yè)發(fā)展前景與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報告

本報告前瞻性、適時性地對MOSFET行業(yè)的發(fā)展背景、供需情況、市場規(guī)模、競爭格局等行業(yè)現(xiàn)狀進行分析,并結合多年來MOSFET行業(yè)發(fā)展軌跡及實踐經(jīng)驗,對MOSFET行業(yè)未來的發(fā)展...

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