2024年中國第三代半導(dǎo)體材料細分市場分析 國內(nèi)SiC產(chǎn)能高速增長，未來市場前景廣闊【組圖】

行業(yè)主要上市公司：華潤微(688396);三安光電(600703);士蘭微(600460);斯達半導(dǎo)(603290);天岳先進(688234)等

本文核心數(shù)據(jù)：碳化硅產(chǎn)能，市場規(guī)模

1、第三代半導(dǎo)體材料分類

第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石，目前已實現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用的主要為碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)兩類，具體用途如下：

2、碳化硅定義

——定義

碳化硅(英語：silicon carbide)，化學(xué)式SiC，俗稱金剛砂，寶石名稱鉆髓，為硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然以莫桑石這種稀罕的礦物的形式存在。

被譽為功率半導(dǎo)體皇冠上的明珠，因其優(yōu)異的材料特性，可以滿足功率電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻及抗輻射等惡劣工作條件的新要求，是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域最有前景的材料之一。

——制造流程

碳化硅(SiC)的制造流程從原料至最后的封裝，流程較為復(fù)雜。

其中，關(guān)于Sic單晶體制造，現(xiàn)在多數(shù)SiC單晶是在以Lely法為基礎(chǔ)的方法上獲得的，其基本過程是在石墨坩塌中心內(nèi)放置多孔石墨環(huán)，在兩者間隙中放入Sic粉料。加熱時埔鍋外層溫度高，中心溫度低，夾層中的碳化硅升華分解，集散到低溫的堆據(jù)中心，凝結(jié)稱為碳化硅單晶體。

關(guān)于Si襯底的外延方法，即使用化學(xué)氣相沉積，獲得SiC單晶體沉底或摻雜后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

3、碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)梳理

從產(chǎn)業(yè)鏈主要參與企業(yè)來看，從事碳化硅襯底片的國內(nèi)廠商主要有天岳先進、三安光電、天科合達、河北網(wǎng)光等;從事碳化硅外延生長的廠商主要有瀚天天成和普興電子等;從事碳化硅功率器件的廠商較多，包括派恩杰、基本半導(dǎo)體、長飛先進、三安光電、長電科技等。

4、商業(yè)化進程：多家企業(yè)宣布在8英寸上取得突破

通常情況下，晶圓尺寸越大，其單片面積就越大、邊緣浪費更小，單位時間內(nèi)產(chǎn)出的襯底、外延更多，芯片的產(chǎn)能也就越大、單顆芯片成本也越低。目前，國內(nèi)SiC市場仍以6英寸為主，但往8英寸升級已經(jīng)成為共識，2022年，國內(nèi)多家企業(yè)宣布在8英寸上取得突破：

5、市場現(xiàn)狀：電動汽車等應(yīng)用拉動下，國內(nèi)SiC產(chǎn)能高速增長

在電動汽車等應(yīng)用拉動下，國內(nèi)SiC產(chǎn)能高速增長。2022年，SiC襯底產(chǎn)能達到94萬片/年(折合6英寸)，相較于2021年增加30.6%;外延產(chǎn)能達到84萬片/年(折合6英寸)，相較于2021年增加58.5%;芯片/器件產(chǎn)能達到96萬片/年，相較于2021年增加62.7%。結(jié)合部分企業(yè)2023年年報情況，初步統(tǒng)計2023年SiC襯底、外延和芯片/器件產(chǎn)能分別為113萬片/年、118萬片/年和144萬片/年。

6、市場趨勢：碳化硅市場前景廣闊

未來我國SiC材料發(fā)展趨勢如下：

更多本行業(yè)研究分析詳見前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《中國第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展前景預(yù)測與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報告》。

同時前瞻產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)研究報告、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、園區(qū)規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)招商、產(chǎn)業(yè)圖譜、智慧招商系統(tǒng)、行業(yè)地位證明、IPO咨詢/募投可研、專精特新小巨人申報、十五五規(guī)劃等解決方案。如需轉(zhuǎn)載引用本篇文章內(nèi)容，請注明資料來源（前瞻產(chǎn)業(yè)研究院）。

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