2025年半導(dǎo)體分立器件行業(yè)細(xì)分市場(chǎng)分析——功率器件（含競(jìng)爭(zhēng)格局、市場(chǎng)規(guī)模）【組圖】

行業(yè)主要上市公司：華潤(rùn)微(688396.SH);士蘭微(600460.SH);新潔能(605111.SH);揚(yáng)杰科技(300373.SZ)等

本文核心數(shù)據(jù)：功率器件競(jìng)爭(zhēng)格局;功率器件市場(chǎng)規(guī)模

——功率器件概述

功率半導(dǎo)體分立器件指額定電流不低于1A，或額定功率不低于1W的半導(dǎo)體分立器件。功率半導(dǎo)體分立器件可以進(jìn)一步劃分為功率二極管、功率晶體管和功率晶閘管三類(lèi)，其中BIT、GTR、MOSFET和IGBT均屬于功率晶體管的范疇，SCR、GTO和IGCT則屬于功率晶閘管的范圍內(nèi)。功率二極管具有結(jié)構(gòu)和原理簡(jiǎn)單、工作可靠的優(yōu)勢(shì);而功率晶閘管承受電壓和電流容量在所有器件中最高;MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好、所需驅(qū)動(dòng)功率小且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、工作頻率高以及不存在二次擊穿問(wèn)題等方面;IGBT則具有開(kāi)關(guān)速度高、開(kāi)關(guān)耗小、具有耐脈沖電流沖擊的能力、通態(tài)壓降較低、輸入阻抗高、為電壓驅(qū)動(dòng)以及驅(qū)動(dòng)功率小等優(yōu)點(diǎn)。

——功率器件制造流程

功率半導(dǎo)體分立器件制造流程涉及多道工序，從功率器件代表性廠商的生產(chǎn)制造來(lái)看，多數(shù)廠商通常具備材料檢驗(yàn)后的完整工藝能力，而芯片制造環(huán)節(jié)中則依舊有部分工序的產(chǎn)品需要采購(gòu)或外協(xié)。

——功率半導(dǎo)體分立器件細(xì)分應(yīng)用

功率器件向下游具有較為廣泛的應(yīng)用，按照產(chǎn)品的工作頻率和功率不同，不同的細(xì)分產(chǎn)品則對(duì)下游應(yīng)用環(huán)節(jié)各有側(cè)重，具體情況如下：

——功率半導(dǎo)體分立器件競(jìng)爭(zhēng)格局

根據(jù)ICWISE的數(shù)據(jù)，當(dāng)前我國(guó)已出現(xiàn)了一批營(yíng)收規(guī)模較大、具有技術(shù)領(lǐng)先地位的功率器件廠商，2023年，按照營(yíng)收統(tǒng)計(jì)，聞泰科技子公司安世半導(dǎo)體占據(jù)了中國(guó)功率器件行業(yè)的首位。

——2024年市場(chǎng)規(guī)模接近1800億元

根據(jù)Statista的數(shù)據(jù)，在新能源汽車(chē)、5G、消費(fèi)電子等行業(yè)需求的拉動(dòng)下，2019-2024年期間，中國(guó)功率器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模呈波動(dòng)上升趨勢(shì)，初步統(tǒng)計(jì)2024年市場(chǎng)規(guī)模接近1800億元。

更多本行業(yè)研究分析詳見(jiàn)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《全球及中國(guó)MOSFET（功率器件）行業(yè)發(fā)展前景與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告》

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